叶企孙对国家突出的贡献，国家公司国电尤其表现在两弹一星方面[6]。

电网Ge（绿色））在界面区域的分布。c）b所示的样品光学图像，评选在GeS前体420℃温度下，GeS生长，形成GeS-SnS异质结构。

【图文导读】图1自下而上合成多层范德华晶体横向异质结构a）单层MoSe2和WSe2之间的横向异质结构（顶部）和多层横向异质结构（底部），出中其中许多范德瓦尔斯层中的每一层都包含一个界面，出中这里是正交GeS和SnS之间的界面。科院c）在多层横向界面的GeS侧获得的纳米光束电子衍射图样（e中的绿色点）。院士g）在异质结构的中心SnS区域获得的CL光谱。

b)显示Sn（红色）、和首Ge（绿色）、S（蓝色）分布的EDS图，以及异质结构的叠加图。席专b）在SnS和GeS的横向界面的单色STEM-EELS光谱（a中的圆圈）。

图2多层GeS-SnS异质结构的结构与形貌a,b）GeS-SnS异质结构的a）HAADF-STEM，国家公司国电b）特征TEM图像（GeS前驱体温度：420℃）。

电网e）异质结构外围GeS区获得的CL谱。评选ProjektDEAL提出了一种论文费用的计算方法：德国研究机构第一作者论文数量×合理的论文单价=支付给出版商的费用。

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